SM712

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SM712 (HOTTECH)	28 328	4.08
SM712 (ANBON)	1 474	7.20
SM712	10 080	4.34
SM712 (FUXIN)	9 234	4.11
SM712 (MDD)	10 617	6.31
SM712 (DOWO)	7 476	3.77
SM712 (TECH PUB)	60 591	3.29
SM712 (YJ)	56 100	10.15
SM712 (MSKSEMI)	3 447	6.89
SM712 (SUNTAN)	35 416	4.92

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTOR
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ONS	735	3.26
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 070
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMIC
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ON SEMICONDUCTO
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	ONSEMICONDUCTOR
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
BAS16LT1G	Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)	LRC
BAT54S.215	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP
BAT54S.215	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
BAT54S.215	2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEX-NXP	6	1.02
BAT54SLT1G		NXP
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ONS	7	5.90
BAT54SLT1G				10.00
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ON SEMICONDUCTO
BAT54SLT1G		ONSEMICONDUCTOR
BAT54SLT1G		ONSEMI	212	3.60
MI1206K601R-10		STEWARD
MI1206K601R-10		Laird-Signal Integrity Products
MI1206K601R-10		STEWARD
MI1206K601R-10
MI1206K601R-10		LAIRD
MI1206K601R-10		LAIRD TECHNOLOGIES	255	6.30
SMAT-13-P10	Пьезоизлучатель без генератора 13мм	SONITRON
SMAT-13-P10	Пьезоизлучатель без генератора 13мм			220.80