|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
|
30
|
17.50
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
102.00
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
|
|
61.68
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
|
24
|
34.00
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
16
|
27.43
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
|
31.40
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
45.90
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
4
|
98.40
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|