Версия для печати
Технические характеристики BD679

Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Корпус	SOT-32-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный		1 596	15.84
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ	80	81.60
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	БРЯНСК	314	34.40
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ФРЯЗИНО	1 257	16.00
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	RUS
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	400	66.30
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМН
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭДЬТАВ
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	ЭЛЬТАВ	300	16.00
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	УЛЬЯНОВСК	160	16.00
		КТ829Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	127	18.31

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...		1	36.00
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS	952	44.84
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ON Semiconductor
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTR
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST1
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	ST MICROELECTRO
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	FAIRCHILD
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	MULTICOMP
		BD438		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=45V, Ic=4.0A, P=36W, B=30-130@Ic=10mA, ...	1
		IRFU024		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFU024		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	VISHAY
		IRFU024		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W			64.64
		IRFU024		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	Vishay/Siliconix
		IRFU024		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	МАЛАЙЗИЯ
		IRFU024		Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W	VISHAY/IR
		UC3842-8
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ONS
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	104
		UC3843BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 8,2.30V, 500kHz
		UC3844TN			ST MICROELECTRONICS	26	66.30
		UC3844TN

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"