BSN254A
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 300mA, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSN254 N-channel Enhancement Mode Vertical D-mos Transistor Также в этом файле: BSN254A
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BH642 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032 |
|
|
||||||
| BH642 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032 | RUICHI |
|
|
|||||
| С2-29 0.125 1% 3.01К | РЕСУРС |
|
|
|||||
| С2-29 0.125 1% 4.02К | РЕСУРС |
|
|
|||||
| С2-29 0.125 1% 18.0К | РЕСУРС |
|
|
|||||
| ЧИП ТАНТАЛ 100МКФ 10В20%ТИПD | SAMSUNG |
|
|
|||||
| ЧИП ТАНТАЛ 100МКФ 10В20%ТИПD | CHINA |
|
|
