|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
|
1 120
|
8.04
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ISC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SB772 |
|
Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ...
|
MSKSEMI
|
3 358
|
4.45
|
|
|
|
AM6TW-2415DZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 6Вт, вход 9-36В, выход ±15В ±200мА. Rизол. 1.5кВ
|
AIMTEC
|
1
|
1 460.78
|
|
|
|
AM6TW-2415DZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 6Вт, вход 9-36В, выход ±15В ±200мА. Rизол. 1.5кВ
|
|
|
|
|
|
|
MC34161P |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34161P |
|
|
|
12
|
120.25
|
|
|
|
MC34161P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
259
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
|
11 920
|
1.80
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
КИТАЙ
|
266
|
11.34
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YJ
|
1 440
|
4.13
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
MIC
|
25 878
|
1.40
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY ME
|
1 445
|
7.33
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE
|
3 600
|
3.45
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
|
|
109.20
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONS
|
229
|
170.03
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TCA0372DP1G |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
514
|
|
|