Версия для печати
Технические характеристики DB4

Voltage - Breakover	35 ~ 45V
Ток - выходной (пиковое значение)	2A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Breakover	50µA
Корпус (размер)	DO-204AH, DO-35, Axial
Корпус	DO-35

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Динисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
		47МКФ 450В (16Х30) 105°С		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 450В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		47МКФ 450В (16Х30) 105°С		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 450В			240.00
		ACS108-5SA-TR			ST MICROELECTRONICS
		ACS108-5SA-TR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		ACS108-5SA-TR			STMicroelectronics
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		КТ361Д1				11 976	1.76
		КТ361Д1			RUS
		КТ361Д1			ТОМСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"