| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFRED® |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 25A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Тип монтажа | Through Hole, Radial |
| Корпус (размер) | TO-247-2 (TO-247AC Modified) |
| Корпус | TO-247AC Modified |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
|
10
|
244.80
|
|
|
|
|
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
|
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
HFA15TB60 |
|
Диод UFAST 15А 600В, 60нс
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
|
|
170.24
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
|
|
380.56
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
|
|
25.88
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MUR
|
4 432
|
6.96
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
|
4
|
8.75
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСК
|
55
|
16.00
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
80
|
56.10
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
