IRFBC30AS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBC30AS	1	140.40

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC30AS

Корпус	D2PAK
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	74W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC30AS (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) max=2.2ohm, Id=3.6A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFBC30AS datasheet
148.13Kb
10стр.