Мощный N-канальный MOSFET транзистор. Максимальный ток стока 110А |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 59A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 110A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4000pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRFP064N (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK2267 | TOSHIBA | |||||||
2SK2267 | 865.20 | |||||||
2SK2267 | TOS | 24 | 1 057.82 | |||||
IRFP064NPBF | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFP064NPBF | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INFINEON | ||||||
IRFP064NPBF | Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | |||||||
TE-78 220V 80W | Паяльник 220В, 80Вт | 394.92 | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | 305.96 | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | TEXAS | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C | 24 | |||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | МАЛАЙЗИЯ | ||||||
UC3825N | Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В | TEXAS INSTRUMEN | ||||||
КПТ-8 ТЕРМОПАСТА ТЮБИК 50 ГР. | ПИМ |
|