IRFR9024N

P-канальный Полевой транзистор (Vds=-55V, Id=-11A@T=25C, Id=-8A@T=100C, Rds=0,175 R, P=38W, -55 to +150C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR9024N	52	12.80
IRFR9024N (JSMICRO)	8 350	16.75

Версия для печати

Технические характеристики IRFR9024N

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	38W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR9024N

55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR9024N datasheet
119.67Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HSMS-2820-BLKG		AVAGO
HSMS-2820-BLKG				82.16
HSMS-2820-BLKG		Avago Technologies US Inc
HSMS-2820-BLKG		BROADCOM/AVAGO
HSMS-2820-BLKG		BROADCOM
HSMS-2820-BLKG		BRO/AVAG
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		7 080	13.33
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
IRFR024N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	FAI/QTC
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	86.94
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	VISHAY
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONS
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	КИТАЙ
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MIC	1 165	23.70
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YJ	14 219	18.22
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MCC
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TSC
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)		3 900	21.07
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY ME
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	HOTTECH	1 712	26.14
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KLS	30 016	30.96
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	PANJIT
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	SUNTAN
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE	33 680	25.09
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	1
MBR20100CT	2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE	2 088	34.78
АЛ307ЕМ	Светодиод желтый, круглый, 5мм, 1.5мКд, 2.5В		2 276	12.88
АЛ307ЕМ	Светодиод желтый, круглый, 5мм, 1.5мКд, 2.5В	СТАРТ
АЛ307ЕМ	Светодиод желтый, круглый, 5мм, 1.5мКд, 2.5В	ПЛАНЕТА-СИД
АЛ307ЕМ	Светодиод желтый, круглый, 5мм, 1.5мКд, 2.5В	ПЛАНЕТА СИД	2	11.08
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера		424	31.45
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	МЕЗОН	800	59.93
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	ВОРОНЕЖ
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	RUS
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	АЗОН
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	МИКРОН
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	РОССИЯ