|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CA56-12SRWA |
|
Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
CA56-12SRWA |
|
Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
CA56-12SRWA |
|
Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...
|
|
|
171.92
|
|
|
|
CA56-12SRWA |
|
Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...
|
KGB
|
|
|
|
|
|
CA56-12SRWA |
|
Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CA56-12SRWA |
|
Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CA56-12SRWA |
|
Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
|
|
260.00
|
|
|
|
IRFB23N20D |
|
Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
2.12
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
140
|
1.60
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 108
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
|
320
|
1.05
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
OP37GS |
|
ОУ бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP37GS |
|
ОУ бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP37GS |
|
ОУ бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = ...
|
PRECISION MONOLITIC INC
|
|
|
|
|
|
OP37GS |
|
ОУ бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = ...
|
|
1
|
121.44
|
|
|
|
OP37GS |
|
ОУ бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP37GS |
|
ОУ бипл., 12 МГц, 17 В/мкс, Uсм = 0,03 мВ, 0,4 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 10 нА, Iвых = ...
|
PRECISION MONOLITIC INC
|
|
|
|