IRF7101TRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ASAHI, ПРИПОЙ, SN60/PB40, D=1.0ММ, 250ГР.,С ФЛЮСОМ FC5005 | ASAHI |
|
|
|||||
 |
КП103И1 | 8 | 6.20 | |||||
|
|
КП103И1 | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП103И1 | RUS |
|
|
||||
|
|
КП103И1 | ОКТЯБРЬ | 440 | 60.02 | ||||
| КП303А9 |
|
|
||||||
| КП303А9 |
|
|
||||||
 |
 |
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 1 | 21.60 | ||
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| ПРИПОЙ FELDER SN62PB36AG2 ELR:1% 0,5ММ 100Г | FELDER |
|
|
