MMBF170LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBF170LT1G		18.40
MMBF170LT1G (VBSEMI)	5 436	4.20

Версия для печати

Технические характеристики MMBF170LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	500mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	60pF @ 10V
Power - Max	225mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBF170LT1 (Полевые МОП транзисторы)

Power MOSFET 500 mA, 60V N-Channel

Также в этом файле: MMBF170LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBF170LT1G datasheet
64.46Kb
4стр.