PDTC143XT
|
|
Версия для печати
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTC143XT Npn Resistor-equipped Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATMEGA644PV-10AU |
|
ИМС МК 1,8-5,5V 64K-FLASH 10MHZ | ATMEL |
|
|
|||
| ATMEGA644PV-10AU |
|
ИМС МК 1,8-5,5V 64K-FLASH 10MHZ |
|
|
||||
| ATMEGA644PV-10AU |
|
ИМС МК 1,8-5,5V 64K-FLASH 10MHZ | MICRO CHIP |
|
|
|||
 |
 |
KNP100JR-73-0R15 |
|
Yageo |
|
|
||
| MC9S08GB60ACFUE | FREESCALE SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC9S08GB60ACFUE | FREESCALE SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC9S08GB60ACFUE |
|
1 416.00 | ||||||
| MC9S08GB60ACFUE | FRS |
|
|
|||||
| MC9S08GB60ACFUE | NXP/FRS |
|
|
|||||
| MC9S08GB60ACFUE | NXP |
|
|
|||||
| Z0107MN 5AA4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| Z0107MN 5AA4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| Z0107MN 5AA4 |
|
|
||||||
| Z0109MN 5AA4 | ST MICROELECTRONICS | 72 | 32.36 | |||||
| Z0109MN 5AA4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| Z0109MN 5AA4 |
|
|
||||||
| Z0109MN 5AA4 | STMICROELECTRO |
|
|
