IRF5210
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 40A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF5210S (P-канальные транзисторные модули) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5210S
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | LM324DR Р В РЎСљР В РЎвЂР  В·Р С”опотребляющРСвЂР  в„– четырехканальный операцРСвЂР  С•Р Р…ный СѓСЃРСвЂР  В»Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»РЎРЉ Р В РўвЂР В РЎвЂР ЎвЂћРЎвЂћ. РІС…РѕРТвЂ, защРСвЂР ЎвЂљР В° РѕС‚ РљР—РљРѕР»РСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓРЎвЂљР Р†Р С• каналов4НапряженРСвЂР В Р’Вµ Р С—Р СвЂР ЎвЂљР В°Р Р…Р СвЂР РЋР РЏ,Р В РІР‚в„ў 3…32РўРѕРє потребле... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | Р В РЎСџР В РЎв„ў16-12Р В Р’В2059 РџСЂРµРТвЂР  Р…азначен Р В РўвЂР  В»РЎРЏ установкРцРЅР° Р В РЎВонтажную панель (внутрРцшкафа) 'НапряженРСвЂР В Р’Вµ, Р В РІР‚в„ў постоянного тока 1-30 переРСВенного тока 1-250 РўРѕРє, Р С’ постоянный... 1721.32 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | AD590KH ТерРСВРѕРТвЂР  В°РЎвЂљРЎвЂЎР СвЂР  С” Р РЋР С“ токовыРѠвых., Iвых=298.2Р В РЎВРєРђ РїСЂРц25°С, Iвых=218...423Р В РЎВРєРђ, 1Р В РЎВРєРђ/°С, точность Р’В±5.5Р’В°C, нелРСвЂР  Р…ейность Р’В±0.8Р’В°C, UР С—=4...30Р В РІР‚в„ў, -55…+150°С, TO-52. РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
