Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 700nA @ 5V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-22К 5% |
|
ЧИП — резистор 0603, 22кОм, 5%
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
0603-22К 5% |
|
ЧИП — резистор 0603, 22кОм, 5%
|
|
2 404
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 753
|
2.10
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
439
|
1.56
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
29 460
|
1.85
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.29
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
11.37
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
34 642
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 446
|
1.52
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
75 296
|
1.45
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.23
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
352 782
|
2.07
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
86 330
|
1.20
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
45 088
|
1.30
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
|
12 000
|
1.12
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
HOTTECH
|
15 648
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C16 |
|
Cтабилитрон универсальный
|
YJ
|
118 881
|
1.29
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
|
156
|
31.45
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
|
156
|
31.45
|
|
|
|
MM74HC595M |
|
Стандартная логика 8-BIT SHIFT-REGISTER -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
50
|
|
|
|
|
UA78L05ACD |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=20V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UA78L05ACD |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=20V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UA78L05ACD |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=20V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
|
100
|
16.65
|
|
|
|
UA78L05ACD |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=20V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
UA78L05ACD |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=20V, Udrop=1.7V@40mA, 0 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
397
|
|
|