IXFK120N20

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXFK120N20	16	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IXFK120N20

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9100pF @ 25V
Power - Max	560W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264AA
Корпус	TO-264AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFK120N20 (N-канальные транзисторные модули)

HiPerFETTM Power MOSFETs Single MOSFET Die

Производитель:
IXYS Corporation
//www.ixys.com

IXFK120N20 datasheet
50.81Kb
2стр.