IRFB4110
N-MOS 100V, 180A, 370W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V |
| Power - Max | 370W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B32529C1104K000 |
|
Пленочный конденсатор 0.1 мкФ 100 В | EPCOS |
|
|
|||
| B32529C1104K000 |
|
Пленочный конденсатор 0.1 мкФ 100 В |
|
|
||||
| B32529C1104K000 |
|
Пленочный конденсатор 0.1 мкФ 100 В | TDK-EPC | 30 246 | 8.28 | |||
 |
GBJ2510 | 2 016 | 32.96 | |||||
|
|
GBJ2510 | Diodes Inc |
|
|
||||
|
|
GBJ2510 | YJ | 2 418 | 36.54 | ||||
|
|
GBJ2510 | MIC | 376 | 81.22 | ||||
|
|
GBJ2510 | YT |
|
|
||||
|
|
GBJ2510 | LIT |
|
|
||||
|
|
GBJ2510 | HOTTECH | 432 | 57.07 | ||||
|
|
GBJ2510 | YANGJIE |
|
|
||||
|
|
GBJ2510 | YANGJIE (YJ) |
|
|
||||
 |
|
IRFB4310 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB4310 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
||
|
|
|
IRFB4310 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
||
|
|
|
IRFB4310 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
| SK100M0470B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK100M0470B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 100 В | YAGEO |
|
|
|||
 |
|
РШ2Н-2-13 |
|
Вилка 8 - ми контактная угловая |
|
96.12 |
