IRF3205S
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 110A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF3205L (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3205S
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | IRF7492 Hexfet power mosfets discrete n-channel Купить |
 | ECAP 2200/16V 1321 105C Номинальное напряжение 16 ВНоминальная ёмкость 2200 мкФСрок службы 1000 чРазмер 13 x 20 ммРабочая температура -55...105 °C... Купить |
 | STP62NS04Z N-channel clamped 12.5m? - 62a - to-220 fully protected mesh overlay™ power mosfet 37.68 руб Купить |
