|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
Power - Max | 130W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRF540NL (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=100V, Rds (on) =44mohm, Id=33A) Также в этом файле: IRF540NS
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5817 (1A 20V) | Диод Шоттки 20В, 1.0A | |||||||
1N5820 (3A 20V) | ||||||||
G1034B | 464.00 | |||||||
G1034B | GAINTA | 2 734 | 334.34 | |||||
LQH55DN470M03L | SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220 | MURATA | 1 928 | 186.70 | ||||
LQH55DN470M03L | SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220 | 192 | 168.00 | |||||
LQH55DN470M03L | SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220 | MUR | ||||||
LQH55DN470M03L | SMD индуктивность 47мкГн +/-20%, Imax=0,8 A 2220 | MURATA | ||||||
PBS-33B OFF-(ON) | 3 232 | 32.86 | ||||||
PBS-33B OFF-(ON) | 3 232 | 32.86 |
|