IRF7478

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7478 (EVVO)	2 400	19.19

Версия для печати

Технические характеристики IRF7478

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 4.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1740pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7478 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7478 datasheet
128.2 Кб