IRLMS6702

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLMS6702 (EVVO)	2 400	10.25

Версия для печати

Технические характеристики IRLMS6702

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	210pF @ 15V
Power - Max	1.7W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	Micro6™(TSOP-6)
Корпус	Micro6™(TSOP-6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLMS6702 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLMS6702 datasheet
169.4 Кб