IRLR2905Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 110W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 36A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLR2905Z (Мощные полевые МОП транзисторы) Automotive Mosfet
Производитель:
|
