| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
23.20
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TL072CN |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ВМ ЗЕЛ. |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 0.4мКд, 2,8В
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ВМ ЗЕЛ. |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 0.4мКд, 2,8В
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
АЛ307ВМ ЗЕЛ. |
|
Светодиод зеленый, круглый,5мм, 0.4мКд, 2,8В
|
|
|
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
|
52.80
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
926
|
23.00
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
2 228
|
25.12
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
61 512
|
33.60
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
СП5-22 - 1 ВТ 2.2 КОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
