![]() |
|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.7A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CWF-2 (DS1069-2 M) | ZHENQIN |
![]() |
![]() |
|||||
CWF-2 (DS1069-2 M) | CONNFLY |
![]() |
![]() |
|||||
CWF-5 (DS1069-5 M) | CONNFLY |
![]() |
![]() |
|||||
STM32F030K6T6 | ST MICROELECTRONICS | 14 840 | 82.84 | |||||
STM32F030K6T6 | 4 676 | 68.54 | ||||||
STM32F030K6T6 | ST MICROELECTRO |
![]() |
![]() |
|||||
STM32F030K6T6 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
![]() |
![]() |
|||||
STM32F030K6T6 | STMICROELECTRO |
![]() |
![]() |
|||||
STM32F030K6T6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 315 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
TMR 1210 |
![]() |
DC/DC, 2Вт, вход 9:18В, стабил. выход 3,3В/500мА, изоляция 1000В DC, вход вкл-выкл, ... | TRACO | 234 | 1 218.31 | |
![]() |
![]() |
TMR 1210 |
![]() |
DC/DC, 2Вт, вход 9:18В, стабил. выход 3,3В/500мА, изоляция 1000В DC, вход вкл-выкл, ... |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|