Версия для печати
Технические характеристики КУ202К1

Максимальное обратное напряжение,В	300
Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В	300
Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А	10
Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А	30
Максимальное напряжение в открытом состоянии,В	1.5
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А	0.1
Наименьший повторяющийся импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора,А	0.5
Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В	7
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс	5
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии,А/мкс	3
Время включения,мкс	10
Время выключения,мкс	150
Рабочая температура,C	-60…85
Особенности	незапираемый

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТИРИСТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	11 154	2.93
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...		26	61.20
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	НПП ТЭЗ
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	ТОМИЛИНО
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	СЗТП	488	25.50
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСК
		КД226В		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КН102Г		Динистор 10В, 2А		48	56.40
		КН102Г		Динистор 10В, 2А	ТОМИЛИНО
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...		142	38.72
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...	СТАРТ
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...	СЗТП	40	102.00
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КУ221А		Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый, ...		107	198.90
		КУ221А		Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый, ...	СВЕТЛАНА	5	70.00
		КУ221А		Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый, ...	ПЛУТОН	700	70.00
		КУ221А		Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n,триодный, незапираемый, ...	СЗТП	1	89.27

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"