| Максимальное обратное напряжение,В | 400 |
| Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В | 400 |
| Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А | 5 |
| Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А | 10 |
| Максимальное напряжение в открытом состоянии,В | 2 |
| Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А | 0.3 |
| Наименьший повторяющийся импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора,А | 0.16 |
| Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В | 2.5 |
| Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному импульсному повторяющемуся отпирающему току,В | 5 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс | 10 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии,А/мкс | 3 |
| Время включения,мкс | 10 |
| Время выключения,мкс | 150 |
| Рабочая температура,C | -60…85 |
| Особенности | симметричный |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
63 011
|
7.04
|
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
425
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
3 243
|
36.00
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
40.34
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
|
91
|
38.72
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
40
|
102.00
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
|
|
76.80
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СССР ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СТАРТМОСКВА
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
ТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
8
|
132.60
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ДНЕПР
|
1 179
|
255.84
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
|
130
|
192.50
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САПФИР
|
|
|
|
Версия для печати
