|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5 mOhm @ 21A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 35A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V |
Power - Max | 91W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR540Z (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | MICRO CHIP | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | 277.40 | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | MICRO CHIP | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | Microchip Technology | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | ||||||
TC4420EPA | Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс. | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
UCC27323DGN | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
UCC27323DGN | ||||||||
UCC27323DGN | TEXAS | |||||||
UCC27324D | 400.00 | |||||||
UCC27324D | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
UCC27324D | TEXAS | |||||||
UCC27524D | TEXAS INSTRUMENTS | 24 | 94.46 | |||||
UCC27524D | ||||||||
UCC27524D | TEXAS | |||||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | 3 | 193.60 | |||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | TEXAS INSTRUMEN | ||||||
UCC37322P | Драйвер FET-IGBT | TEXAS |
|