| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0430450400MOLEX |
|
|
MOLEX
|
|
|
|
|
|
 |
3-641127-4 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
 |
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM
|
1 144
|
76.00
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
43
|
76.00
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
|
|
128.56
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DS
|
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
MAXIM/DALLAS
|
26
|
193.80
|
|
|
|
|
DS1307 |
|
Часы/календарь, интерфейс I2C, 56 байт ОЗУ
|
1
|
|
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
KGB
|
6 442
|
12.63
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
|
2 951
|
12.95
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
606
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
540
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
1 022
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
36.40
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
Версия для печати
