Версия для печати
Технические характеристики 20CTQ150

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	880mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr	25µA @ 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

20CTQ150S (Дискретные сигналы) SCHOTTKY RECTIFIER 20 Amp Также в этом файле: 20CTQ150SPBF, 20CTQ150STRL, 20CTQ150STRLPBF, 20CTQ150STRR, 20CTQ150STRRPBF Производитель: International Rectifier //www.irf.com 20CTQ150 datasheet 304.38Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	10 687	4.83
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	7 050	3.85
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	1 330	1.79
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.23
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
		3266W-1-103		Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	3 182	17.44
		3266W-1-104		Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	BOURNS
		3266W-1-104		Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	BARONS
		3266W-1-104		Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``			51.68
		3266W-1-104		Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	Bourns Inc
		3266W-1-104		Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	КИТАЙ
		3266W-1-104		Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	BOCHEN	534	17.56
		TL071ACP		Операционный усилитель DIP-8	TEXAS INSTRUMENTS	8	181.50
		TL071ACP		Операционный усилитель DIP-8			62.00
		TL071ACP		Операционный усилитель DIP-8	TEXAS INSTRUMENTS
		TL071ACP		Операционный усилитель DIP-8	TEXAS
		TL071ACP		Операционный усилитель DIP-8	4-7 НЕДЕЛЬ	715
		К73-17-0.22МКФ 63В (10%)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"