Корпус | 24-TSSOP |
Корпус (размер) | 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Напряжение питания источника | Analog and Digital |
Мощность рассеивания (макс.) | 2.5mW |
Число преобразователей | 1 |
Интерфейс подключения | DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™ |
Частота амплитудно-импульсной модуляции | 470 |
Бит | 24 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA48-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA48-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, ...
|
|
|
136.08
|
|
|
|
ATMEGA48-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA48-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA48-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA48-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, ...
|
MICRO CHIP
|
215
|
519.38
|
|
|
|
ATMEGA48-20PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
295
|
|
|
|
|
L6205N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L6205N |
|
|
|
|
960.00
|
|
|
|
L6205N |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6205N |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L6205N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
271
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
|
51 513
|
2.77
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
БРЕСТ
|
1
|
1.05
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП
|
80
|
15.12
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД521В |
|
Импульсный малосигнальный диод
|
СЗТП САРАНСК
|
539
|
11.47
|
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения
|
|
|
14.00
|
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ529А |
|
Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения
|
БРЯНСК
|
576
|
18.90
|
|
|
|
КТ8170А1 |
|
|
|
60
|
9.20
|
|
|
|
КТ8170А1 |
|
|
МИНСК
|
1 252
|
12.60
|
|
|
|
КТ8170А1 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
800
|
26.46
|
|