BR25L010F-WE2
|
IC EEPROM SER 1KB SPI BUS 8SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Тип памяти | EEPROM |
| Объем памяти | 1K (128 x 8) |
| Скорость | 5MHz |
| Интерфейс подключения | SPI, 3-Wire Serial |
| Напряжение питания | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-MSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 25В (10X21) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 1000МКФ 25В (10X21) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25В |
|
29.60 | ||||
| 470МКФ 25В (10Х16) 105°C |
|
|
||||||
| OZ960GN | O2MICRO | 44 | 80.22 | |||||
| OZ960GN | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| OZ960GN | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| OZ960GN |
|
|
||||||
| OZ960GN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 494 |
|
|||||
| W25Q32FVSSIG | WINBOND |
|
|
|||||
| W25Q32FVSSIG | 4 | 166.32 | ||||||
| W25Q32FVSSIG | WIN |
|
|
|||||
| W25Q32FVSSIG | WINBOND | 64 | 76.07 | |||||
| W25Q32FVSSIG | 1 |
|
|
|||||
| W25Q32FVSSIG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 272 |
|
|||||
| ТРАНСФОРМАТОР TMS91365CT |
|
|
||||||
| ТРАНСФОРМАТОР TMS91365CT | HHT |
|
|
