|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
B41851F5228M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B41851F5228M |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
WTE
|
7
|
15.75
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
DIODES INC.
|
393
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
348
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
356
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ONS
|
448
|
43.92
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
|
8 343
|
3.91
|
|
|
|
DF06S |
|
Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
10 893
|
7.23
|
|
|
|
IRF740APBF (MOSFET N-CH 400V 10A AB) |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
58.59
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
|
1 080
|
21.76
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRLR2905 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
30.00
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS
|
14 268
|
14.16
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
YOUTAI
|
5 846
|
8.99
|
|
|
|
TL072IDR |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
148
|
|
|