|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-27 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
1 868
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
0805-82 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
640
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
HOTTECH
|
213 600
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC847C SOT-23 |
|
|
TRR
|
830 400
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 362
|
11.72
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
612
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
789
|
14.72
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
1 599
|
12.47
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
800
|
8.69
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 665
|
17.01
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
16.38
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.60
|
|