|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
|
32
|
79.96
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BROADCOM/AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
BROADCOM
|
3 438
|
108.90
|
|
|
|
HCPL-3120-000E |
|
Драйвер IGBT/MOSFET с высокоскоростным оптроном на выходе для 35В, 225мА.5А
|
AVAGO/BROADCOM
|
120
|
85.76
|
|
|
|
LM1086IS-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1086IS-1.8 |
|
|
|
|
148.00
|
|
|
|
LM1086IS-1.8 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1086IS-1.8 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1086IS-1.8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1086IS-1.8 |
|
|
NATIONAL
|
3
|
145.20
|
|
|
|
LM1086IS-1.8 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
454
|
|
|
|
|
LM1086IT-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1086IT-1.8 |
|
|
|
|
126.00
|
|
|
|
LM1086IT-1.8 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
782
|
|
|
|
|
LM1086IT-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1086IT-ADJ |
|
|
|
11
|
290.45
|
|
|
|
LM1086IT-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1086IT-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1086IT-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1086IT-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM1086IT-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
329
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
3
|
160.02
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
20
|
157.50
|
|
|
|
LM1117DT-1.8 |
|
ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
536
|
|
|