|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
|
|
26.64
|
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
PHILIPS
|
500
|
|
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74LVC244AD |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), линейный драйвер без инверсии с 3мя сост. на ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
125
|
|
|
|
|
AT25256AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT25256AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...
|
|
|
168.00
|
|
|
|
AT25256AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT25256AN-10SU-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
92
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
356 028
|
1.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
118 618
|
2.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 391
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
716 235
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
353 476
|
1.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 466
|
1.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 621 500
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
257 829
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
112 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
873 967
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
20 544
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP
|
2 376
|
2.10
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
|
41 030
|
1.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DC COMPONENTS
|
29 688
|
1.34
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
13 296
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NEXPERIA
|
35
|
1.03
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY ME
|
753
|
1.52
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
HOTTECH
|
214 987
|
1.38
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YJ
|
332 391
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
JSCJ
|
99 674
|
1.34
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SUNTAN
|
533
|
1.66
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
|
|
165.20
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
104
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
600
|
|
|