|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BFG540/X |
|
СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFG540/X |
|
СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFG540/X |
|
СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт
|
|
|
27.68
|
|
|
|
BFG540/X |
|
СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFG540/X |
|
СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFG540/X |
|
СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFG540/X |
|
СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINICIR
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
|
|
1 040.00
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
MINI CIRCUITS
|
|
|
|
|
|
ERA-5SM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
507
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
|
1 216
|
57.76
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
20
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710S |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
EVVO
|
454
|
47.92
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
|
|
154.24
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
CMOS
|
204
|
104.40
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
EVVO
|
687
|
34.26
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
|
1 283
|
31.28
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
КРЕМНИЙ
|
2 988
|
33.98
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
БРЯНСК
|
7 393
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
МИНСК
|
3 378
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|