LM2671M-5.0
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Напряжение входное | 6.5 V ~ 40 V |
| Частота переключения | 260kHz |
| Ток выходной | 500mA |
| Напряжение выходное | 5V |
| Число выходов | 1 |
| Synchronous Rectifier | Нет |
| Внутренняя коммутация | Да |
| Тип | Step-Down (Buck) |
| Серия | SIMPLE SWITCHER® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | FAIR |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс |
|
8.28 | ||
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS | 41 |
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KLS |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KEENSIDE | 1 | 1.32 | |
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | ASEMI |
|
|
|
| LMC6482AIM/NOPB |
|
ИМС | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| LMC6482AIM/NOPB |
|
ИМС | TEXAS |
|
|
|||
| LMC6482AIM/NOPB |
|
ИМС |
|
|
||||
| SQP 5W 3.0K 5% |
|
|
||||||
| SQP 5W 3.0K 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP 5W 4.7K 5% |
|
|
||||||
| SQP 5W 4.7K 5% | YAGEO |
|
|
