LM293DR2G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | General Purpose |
| Число элементов | 2 |
| Тип выхода | CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL |
| Напряжение питания | 2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Output Type | CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM317LCDR | TEXAS | 600 | 19.38 | |||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR |
|
|
||||||
| LM317LCDR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 191 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | NXP |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | 165 | 10.08 | ||||||
| MMBZ15VALT1G | ONS | 28 812 | 3.70 | |||||
| MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 10 108 | 2.32 | |||||
 |
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm | BOURNS | 5 196 | 25.34 | ||
|
|
SDR0805-471KL |
|
Индуктивность 470мкГн SMD 7,8x5,3mm |
|
209.20 | |||
| SMBJ28A-E3/52 | VISHAY |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | GENERAL SEMICONDUCTOR | 113 |
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| SMBJ28A-E3/52 |
|
|
||||||
| SS14 T/R | YJ |
|
|
|||||
| SS14 T/R | MIC | 23 649 | 3.03 | |||||
| SS14 T/R |
|
|
