|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
6 306
|
64.03
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
|
|
307.40
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
148
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-104LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ONS
|
52 805
|
3.99
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
207
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAV199LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MURATA
|
44 354
|
2.61
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MUR
|
48 377
|
1.08
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
|
|
4.52
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21PG300SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 3A 0.01
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
MURATA
|
21 151
|
7.55
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
|
|
16.84
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
MUR
|
35 753
|
4.89
|
|
|
|
BLM31PG391SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ONS
|
29 210
|
3.63
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 529
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
|
|
|
|
|
|
MMSD4148T1G |
|
Импульсный диод smd (Vr=100V, If=200mA, Ifm=500mA, trr=4ns, T=-55 to+150C)
|
ONSEMI
|
27 948
|
2.14
|
|