|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
|
|
64.12
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
381
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
8
|
20.62
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MAX660EPA(ADM660AN) |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX660EPA(ADM660AN) |
|
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
905
|
792.14
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
|
|
429.16
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
728
|
|
|
|
|
TPS62205DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS62205DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|