MC34151P

ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MC34151P (4-7 НЕДЕЛЬ)	324	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MC34151P

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Конфигурация	Low-Side
Тип входа	Inverting
Время задержки	35ns
Ток пиковое значение	1.5A
Число конфигураций	2
Число выходов	2
Напряжение питания	6.5 V ~ 18 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-PDIP
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA		3 505	5.55
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	FAIR
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	VISHAY
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	FAIRCHILD
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	FAIRCHILD
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	GALAXY
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	КИТАЙ
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	GALAXY ME
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	LGE	23 600	1.86 >100 шт. 0.93
BZX55C20	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=20V, Izt-5mA	1
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	VISHAY
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...		239	156.74
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	КИТАЙ
MAX232ECSE		MAXIM
MAX232ECSE				335.56
MAX232ECSE		MAXIM	1
MAX232ECSE		MAX
MAX232ECSE		4-7 НЕДЕЛЬ	376
TPIC6B273N	Микросхема 8х мощ. D-защелка	TEXAS INSTRUMENTS
TPIC6B273N	Микросхема 8х мощ. D-защелка			151.20
TPIC6B273N	Микросхема 8х мощ. D-защелка	TEXAS INSTRUMENTS
TPIC6B273N	Микросхема 8х мощ. D-защелка	TEXAS	40	162.12
TPIC6B273N	Микросхема 8х мощ. D-защелка	TEXAS INSTRUMEN
TPIC6B273N	Микросхема 8х мощ. D-защелка	4-7 НЕДЕЛЬ	799
ГИ-30			4	1 048.80