Версия для печати
Технические характеристики NCP1207ADR2G

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение входное	10.6 V ~ 20 V
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

NCP1207A (Контроллер по принципу ШИМ (широтно-импульсной модуляции)) Pwm Current-mode Controller For Free Running Quasi-resonant Operation Также в этом файле: NCP1207ADR2G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com NCP1207ADR2G datasheet 200.02Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FAIR
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FSC
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET		14	379.26
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	Fairchild Semiconductor
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	США
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FSC1
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	FAIRCHILD
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ONS	152	247.13
		FQPF6N90C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ONS-FAIR
		NCP1396ADR2G		Микросхема Resonant Mode Controller SO16
		NCP1396ADR2G		Микросхема Resonant Mode Controller SO16	ONS	15	87.12
		NCP1396ADR2G		Микросхема Resonant Mode Controller SO16	ON Semiconductor
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH
		STF11NM80		N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	48	186.00
		STF11NM80		N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet			328.80
		STF11NM80		N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMicroelectronics
		STF11NM80		N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	КИТАЙ
		STF11NM80		N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	13 332
		STF11NM80		N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMICROELECTR
		STP8NK80ZFP		N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	203	128.57
		STP8NK80ZFP		N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
		STP8NK80ZFP		N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	32
		STP8NK80ZFP		N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet		24	196.56
		STP8NK80ZFP		N-channel 800v - 1.3? - 6.2a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet	STMICROELECTR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"