P89C60X2BA

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
P89C60X2BA		2 004.80
P89C60X2BA (4-7 НЕДЕЛЬ)	191	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики P89C60X2BA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	89C
Процессор	8051
Размер ядра	8-Bit
Скорость	33MHz
Подключения	UART/USART
Периферия	POR, WDT
Число вводов/выводов	32
Размер программируемой памяти	64KB (64K x 8)
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер памяти	512 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	4.5 V ~ 5.5 V
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	44-LCC (J-Lead)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC857BT116		ROHM
BC857BT116		ROHM	1 884
BC857BT116		Rohm Semiconductor
DS1707ESA+	Монитор питания Ind	MAXIM	2	252.00
DS1707ESA+	Монитор питания Ind	MAX	44	139.68
DS1707ESA+	Монитор питания Ind
STPS10150CG-TR		STMicroelectronics
STPS10150CG-TR		ST MICROELECTRONICS SEMI	86
STPS10150CG-TR		КИТАЙ
STPS10150CG-TR		ST MICROELECTRONICS
STPS10150CG-TR
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	560	371.95
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	924
СМАЗКА ГРАФИТОВАЯ, 20 Г.				52.00