|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1734577-1 |
|
|
TE Connectivity
|
420
|
230.94
|
|
|
|
1734577-1 |
|
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
1734577-1 |
|
|
TE
|
|
|
|
|
|
1734577-1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
817
|
210.00
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
|
|
957.44
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1400CRWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
732
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 764
|
2.15
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.54
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
540 702
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
717 954
|
1.31
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
90 440
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
|
32 174
|
3.50
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
HOTTECH
|
134 149
|
6.24
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
TRR
|
29 600
|
4.02
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
JSCJ
|
38 803
|
5.18
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
143.64
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
|
4
|
160.02
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO TECH
|
2 800
|
89.89
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
339
|
|
|