SI4835BDY-T1-E3
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 5V |
| Power - Max | 1.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6675A | FAIR |
|
|
|||||
| FDS6675A | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS6675A |
|
80.00 | ||||||
| FDS6675A | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS6675A | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDS6675A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 122 |
|
|||||
| FDS6680A(Q) | FAIR |
|
|
|||||
| FDS6680A(Q) |
|
124.00 | ||||||
| FDS6680A(Q) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 556 |
|
|||||
| FDS7064N | FAIR |
|
|
|||||
| FDS7064N |
|
124.00 | ||||||
| FDS7064N | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDS7064N | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDS7064N | 4-7 НЕДЕЛЬ | 44 |
|
|||||
| SI4892DY | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI4892DY | VISHAY |
|
|
|||||
| SI4892DY |
|
200.00 | ||||||
| SI4892DY | SILICONIX |
|
|
|||||
 |
SI4892DY-T1 |
|
88.00 | |||||
|
|
SI4892DY-T1 | SILICONIX |
|
|
||||
|
|
SI4892DY-T1 | SILICONIX |
|
|
||||
|
|
SI4892DY-T1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 348 |
|
