Версия для печати
Технические характеристики SN74LS00DR

Корпус	14-SOIC
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Число каналов	4
Ток выходной макс., мин.	400µA, 16mA
Число входов	2
Логический тип	NAND Gate
Серия	74LS
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

SN74LS00 (Вентили (Gate)) Quad 2-Input NAND Gate Также в этом файле: SN74LS00DR2 Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com SN74LS00DR datasheet 54.38Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Вентили, инверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1616K			NEC	26	28.35
		2SD1616K					47.56
		2SD1616K					47.56
		BA6288FS			ROHM
		BA6288FS					2 440.00
		BA6288FS			4-7 НЕДЕЛЬ	96
		BZX55C12VO
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	DC COMPONENTS
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A		3 394	26.90
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	YJ	3 271	20.85
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	KINGTRONICS
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	HOTTECH	4 306	37.61
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	SEP
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	YANGJIE	5 440	28.11
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	YANGJIE (YJ)
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	KLS
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	SUNTAN	404	36.89
		KBU610		Диодный мост (U=1000V, I=6.0А@T=50C, Ifsm=250A	KOME	2 464	38.48
		WS6264LLPG-70					340.96
		WS6264LLPG-70			4-7 НЕДЕЛЬ	657

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"