UC2823DW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
UC2823DW		467.88
UC2823DW (4-7 НЕДЕЛЬ)	168	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики UC2823DW

Корпус (размер)	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Isolated	Нет
Cuk	Нет
Divider	Нет
Doubler	Нет
Inverting	Нет
Flyback	Да
Boost	Да
Buck	Да
Напряжение питания	8.4 V ~ 30 V
Duty Cycle	100%
Частота -макс.	1MHz
Число выходов	1
PWM Type	Voltage/Current Mode
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

UC2823 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией)

High Speed PWM Controller

Также в этом файле: UC2823DW, UC2823DWTR

Производитель:
Texas Instruments
//www.ti.com

UC2823DW datasheet
409.47Kb
7стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм			6.00
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	NELTRON
DIP8-S	Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм	HSUAN MAO
DIP8-S-M		NELTON
DIP8-S-M		NELTRON
DIP8-S-M
DIP8-S-M		HSUAN MAO
IR2153PBF	Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2153PBF	Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON	2 740	76.46
IR2153PBF	Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		412	72.68
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		203	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 273	26.46
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 892	37.80
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР