|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
|
4
|
151.20
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DC COMPONENTS
|
3 982
|
55.19
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
|
|
58.52
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
YJ
|
11 177
|
33.81
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
LGE
|
8 179
|
17.87
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
HOTTECH
|
5 076
|
25.93
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
|
493
|
16.80
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ФРЯЗИНО
|
44 799
|
16.80
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
MEY
|
445
|
21.00
|
|
|
|
TDA4605 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=160 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
495
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
164
|
49.14
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
UTC
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
|
3
|
128.52
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
UC3842BN |
|
ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
244
|
|
|
|
|
АОТ127А |
|
Транзисторная оптопара
|
ПРОТОН
|
1 203
|
21.00
|
|
|
|
АОТ127А |
|
Транзисторная оптопара
|
|
188
|
26.06
|
|
|
|
АОТ127А |
|
Транзисторная оптопара
|
УЛЬЯНОВСК
|
4 160
|
11.52
|
|
|
|
АОТ127А |
|
Транзисторная оптопара
|
ИЗЛУЧАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
АОТ127А |
|
Транзисторная оптопара
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АОТ127А |
|
Транзисторная оптопара
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
АОТ127А |
|
Транзисторная оптопара
|
УРЛЗ
|
532
|
22.68
|
|