Версия для печати
Технические характеристики BD681

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD681 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD681 datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR
		2N6039
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR	692
		2N6039			STMicroelectronics
		2N6039			ST MICROELECTRO
		2N6039			ST MICROELECTRONICS
		2N6039			ISCSEMI
		2N6039			КИТАЙ
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	1 836	24.47
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W			48.44
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS THOMSON
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRO
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
		MJE802		Транзистор биполярный составной			91.12
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE802		Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ		578	57.75
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМНИЙ	631	93.48
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	БРЯНСК	3 262	70.00
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	УЛЬЯНОВСК
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ФРЯЗИНО
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	RUS
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬТАВ	388	20.00
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМН
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬДАГ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL	17	2 164.80
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL CORPORATION	1 817
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...		1 000	328.03
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	США
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL1
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP	71	1 216.93
		ATMEGA8-16AU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	NO NAME
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FAI/QTC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS	119	72.91
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FSC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)			30.32
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR	44
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	STMicroelectronics
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	КИТАЙ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ФИЛИППИНЫ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRO
		FSCQ1565RT		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W	FAIR
		FSCQ1565RT		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W	FSC
		FSCQ1565RT		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W
		FSCQ1565RT		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W	США
		FSCQ1565RT		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		FSCQ1565RT		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W	FSC1
		FSCQ1565RT		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=13.3A, 20kHz, Pout<210W	ONS
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	ST MICROELECTRONICS
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.			127.20
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NSC	52	193.80
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NATIONAL SEMIC
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	TEXAS INSTRUMENTS
		LF412CN		Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.	NS
		SRR1208-472KL
		SRR1208-472KL			BOURNS	1 760	59.18

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"